[发明专利]SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备有效
| 申请号： | 202011018010.X | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112163355B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 樊嘉杰;钱弈晨;侯峰泽;刘盼;张国旗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F30/392;G06F30/398;G06F111/10;G06F113/18;G06F119/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 封装 结构 优化 设计 方法 介质 设备 | ||
【主权项】：
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