[发明专利]无机分子晶体封装二维材料的结构及其封装与解封装方法在审
| 申请号： | 202011003478.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112185804A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 翟天佑;刘立昕;刘开朗;李会巧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 陈灿;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种使用无机分子晶体封装二维材料的结构及其封装与解封装方法。本发明封装方法包括以下步骤：(1)将无机分子晶体升华形成气态无机分子氛围；(2)使气态无机分子在二维材料表面沉积形成保护层。本发明利用无机分子晶体材料为升华源，由于分子晶体之间较弱的作用力，在高真空环境中，较低温度下即可升华，将其沉积到二维材料表面进行封装，所得封装层与二维材料之间通过范德华力相连接，避免改变二维材料表面化学状态，可实现二维材料的无损伤封装，易于实现大规模制备和器件集成，充分利用无机分子晶体的性能，可实现不同二维材料的封装，具有普适性，具有广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 分子 晶体 封装 二维 材料 结构 及其 解封 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
