[发明专利]无机分子晶体封装二维材料的结构及其封装与解封装方法在审
| 申请号： | 202011003478.1 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112185804A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 翟天佑;刘立昕;刘开朗;李会巧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 陈灿;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机 分子 晶体 封装 二维 材料 结构 及其 解封 方法 | ||
1.一种二维材料的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将无机分子晶体升华形成气态无机分子氛围；
(2)使气态无机分子在二维材料表面沉积形成无机分子晶体保护层。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述无机分子包括Sb2O3、S8、P4Se3、GeI4中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述二维材料包括石墨烯、MoS2、WSe2、TaS2中的一种。
4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述步骤(1)中无机分子晶体升华压强为10-6-1Torr。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述步骤(2)的沉积温度为600℃以下，优选为200-600℃。
6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法通过真空加热设备实现升华和沉积。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述真空加热设备为真空镀膜机，所述真空镀膜机能够控制沉积速率与沉积时间。
8.一种无机分子晶体封装二维材料的结构，其特征在于，根据权利要求1-7任一项所述的封装方法制备而成。
9.一种二维材料的解封装方法，其特征在于，将权利要求1-7任一项所述的封装方法封装而成的结构，通过真空加热，使保护层升华直至二维材料表面无残留。
10.根据权利要求9所述的解封装方法，其特征在于，所述解封装温度为600℃以下，优选为200-600℃，解封装压强为10-6-1Torr。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
