[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法

摘要

发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；第一TFT区域制作第一有源层，将第一有源层划分为沟道区域和导体化区域；沟道区域上制作第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上制作第一金属层；制作隔离层，蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层；蚀刻隔离层，形成两个第一通孔；同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域，减少第二TFT退火制程H离子扩散，提升第二TFT器件稳定性，同时由于隔离层仅保留在第一TFT区域，第二TFT膜层厚度减薄，透过率增大，可提升显示效果。