[发明专利]一种用于确定半导体工艺的工艺极限的方法和装置有效

专利信息
申请号: 202010982374.3 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN112529833B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: S·霍尔德;B·戴伊;D·瑟布 申请(专利权)人: IMEC非营利协会
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 杨洁;蔡悦
地址: 比利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 取得同一管芯区域的图像的数据集作为方法的起始点。该数据集之中的图像对应于一个或多个工艺参数的不同设置。来自该数据集的一个或多个图像被用作无监督生成式机器学习算法的训练图像。该算法创建特征向量空间,其包括允许该算法合成大量合成图像的特征向量。该方法接着将来自该数据集的一个或多个图像呈现为针对该算法的查询图像,并且基于查询图像与来自该数据集的一组对象图像中的相应对象图像之间的距离将一分数归于该一组对象图像,所述距离在特征向量空间中被确定。根据本发明,该分数表示图像的一个或多个特性。这允许直接从分数值中,而非从图像的手动比较中,提取工艺极限。
搜索关键词: 一种 用于 确定 半导体 工艺 极限 方法 装置
【主权项】:
暂无信息
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