[发明专利]用于高性能标准单元的多过孔结构在审
| 申请号： | 202010978925.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112086432A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | S·萨哈;X·陈;V·宝娜帕里;H·利姆;M·马拉布里;M·古普塔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L27/02;H01L27/118;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种用于高性能标准单元的多过孔结构。一种IC的MOS器件，包括pMOS和nMOS晶体管。MOS器件进一步包括：第一M |
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| 搜索关键词： | 用于 性能 标准 单元 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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