[发明专利]坩埚及其制备方法和用于制备硅晶体的装置有效
| 申请号： | 202010969509.2 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112064112B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 冷金标;邱建峰;方致远 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/10;C30B28/06;C03B20/00;C03C17/34;C03C17/36;C03C17/23 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 肖丽 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种坩埚及其制备方法和用于制备硅晶体的装置，涉及硅晶体的制备技术领域。该坩埚包括：坩埚本体和设于所述坩埚本体内壁的第一高纯层；其中，所述第一高纯层包括第一石英砂，所述第一石英砂的粒径为2μm～5μm，所述第一石英砂包括第一结晶型石英砂和第一非结晶型石英砂，其中所述第一结晶型石英砂的质量含量为60％～80％。本申请能够减少第一高纯层与坩埚本体的膨胀差异，保持第一高纯层的完整性、致密性，从而可以达到降低硅片中氧含量的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 及其 制备 方法 用于 晶体 装置 | ||
【主权项】：
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