[发明专利]有源区域结构与其形成方法有效
申请号: | 202010969107.2 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112133699B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 林刚毅 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种有源区域结构与其形成方法,有源区域结构的形成方法包含:形成多个牺牲图案位于一衬底上方,其中至少部分牺牲图案包含一水平部分以及一垂直部分,其中至少部分牺牲图案的水平部分与相邻的另一牺牲图案的水平部分在一水平方向上相互对齐,至少部分的牺牲图案的垂直部分与相邻的另一牺牲图案的垂直部分在一垂直方向上相互对齐;形成多个间隙壁图案,每一个间隙壁图案环绕在一个牺牲图案的周围。该有源区域结构的形成方法可以阻挡外围大区域的浅沟槽绝缘层对组件区域所产生的应力,防止在组件区域的周围边区域的组件单元,因为应力而损坏。边界结构可以补偿有源线之间在端部不平均的应力,也可以避免组件单元的损坏。 | ||
搜索关键词: | 有源 区域 结构 与其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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