[发明专利]有源区域结构与其形成方法有效
申请号: | 202010969107.2 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112133699B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 林刚毅 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 区域 结构 与其 形成 方法 | ||
1.一种有源区域结构的形成方法,其特征在于,包含:
形成多个牺牲图案位于一衬底上方,其中至少部分所述牺牲图案包含一水平部分以及一垂直部分,其中至少部分所述牺牲图案的所述水平部分与相邻的另一所述牺牲图案的所述水平部分在一水平方向上相互对齐,至少部分的所述牺牲图案的所述垂直部分与相邻的另一所述牺牲图案的所述垂直部分在一垂直方向上相互对齐;以及
形成多个间隙壁图案,每一个所述间隙壁图案环绕在一个所述牺牲图案的周围。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,从一正视图来看,每一个所述间隙壁图案均为一封闭子图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,多个所述间隙壁图案彼此之间相互接触,并组成一封闭图案。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述封闭图案包含一封闭的边缘部分,以及多个斜向部分位于所述封闭的边缘部分内的区域中。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,多个所述斜向部分沿着一第一方向排列,其中,所述第一方向不同于所述水平方向和所述垂直方向。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述封闭的边缘部分包含多个边界,其中至少一个所述边界沿着所述水平方向延伸,至少一个所述边界沿着所述垂直方向延伸。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在多个所述间隙壁图案形成后,还包含进行一第一蚀刻步骤,移除多个所述牺牲图案。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包含一形成材料层的步骤,所述材料层位于所述衬底以及多个所述间隙壁图案之间。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,还包含进行一第二蚀刻步骤,以多个所述间隙壁图案为屏蔽,将多个所述间隙壁图案转移至所述材料层中。
10.一种有源区域结构,其特征在于,包含:
组件区域与周边有源区域,其中,所述组件区域包含:多个封闭图案有源区位于一衬底上,多个所述封闭图案有源区彼此之间相互接触,并组成一封闭图案,其中所述封闭图案的第一边界沿着一水平方向延伸,所述封闭图案的第二边界沿着一垂直方向延伸,所述组件区域还包含多个组件单元;
所述有源区域结构还包含浅沟槽绝缘层,用以绝缘所述组件单元,以及将所述组件单元相对于所述周边有源区域隔离。
11.根据权利要求10所述的有源区域结构,其特征在于,还包含多个斜向组件单元位于所述封闭图案内,其中多个所述斜向组件单元不接触所述封闭图案,其中多个所述斜向组件单元沿着一第一方向排列,其中所述第一方向不同于所述水平方向和所述垂直方向。
12.根据权利要求11所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭图案包含所述第一边界、所述第二边界以及沿着所述第一方向延伸的一第三边界。
13.根据权利要求10所述的有源区域结构,其特征在于,至少有一个所述封闭图案有源区包含六角以上的不规则多边形。
14.根据权利要求11所述的有源区域结构,其特征在于,所述封闭图案具有不同的宽度,其中最大的宽度大于所述斜向组件单元的短边宽度的1.3倍且不大于所述短边宽度的2倍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的