[发明专利]二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010958636.2 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112117189A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 尹江龙;章剑锋;向军利 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵秀芹 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市南昌县*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种二极管及其制备方法，制备方法包括：提供第一导电类型的衬底，衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，衬底包括相对的第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成第一导电类型阱区；在衬底的第二表面上形成第二导电类型阱区；在第一导电类型阱区和第二导电类型阱区上分别形成第一电极层和第二电极层；其中，第一导电类型和第二导电类型中，其中一个为N型，另一个为P型。根据本申请实施例提供的二极管及其制备方法，能够降低二极管的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
