[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010951166.7 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394289A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 大桥辉之;河野洋志;古川大 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够减小特性变动的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1元件区域。第1元件区域包括第1～第3半导体区域、第1、第2导电层。第1半导体区域为第1导电型。第2导电层在第1半导体区域与第3部分区域肖特基接触。第2半导体区域为第2导电型。第3半导体区域为第1导电型。第3半导体区域的至少一部分在第2方向上位于第1部分区域与第1半导体部分之间。第3半导体区域中的第1导电型的杂质的浓度高于第1部分区域中的第1导电型的杂质的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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