[发明专利]集成电路半导体装置在审
| 申请号： | 202010939805.8 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112750830A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 金昇辰;林晟洙;金锡来;权赫宇;李炳铉;崔允荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;刘林果 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种集成电路半导体装置。所述集成电路半导体装置包括：多个圆柱形结构，在基底上彼此分离；以及多个支撑件，具有暴露所述多个圆柱形结构的侧表面的开口区，所述多个支撑件与所述多个圆柱形结构的侧表面接触并且支撑所述多个圆柱形结构，其中，在竖直剖视图中，所述多个支撑件中的每个支撑件具有具备坡度的两个侧表面并且具有比底部宽度小的顶部宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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