[发明专利]基于碳化硅衬底的垂直氮化铝金属氧化物半导体场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202010922629.7 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112038408B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 周弘;王捷英;曾诗凡;张进成;许晟瑞;刘志宏;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于碳化硅衬底的垂直氮化铝金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有技术器件击穿电压较低的问题。其结构为：衬底(2)下方为漏极(1)，上方依次为n |
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| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 衬底 垂直 氮化 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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