[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统在审
| 申请号： | 202010898622.6 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN114200275A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 石帮兵;李诚瞻;丁杰钦;赵艳黎;陈喜明;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李博瀚 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 高温 试验 方法 系统 | ||
【主权项】：
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