[发明专利]一种存储器制作方法

摘要

本发明实施例提供一种存储器制作方法，包括：提供基底，在基底上形成牺牲层；图形化牺牲层，在基底上形成多个相互分立的伪位线层；形成支撑层，支撑层填充满相邻伪位线层之间的区域；去除伪位线层，形成位于相邻支撑层之间的位线空间；形成位线结构，位线结构填充位线空间，且位线结构包括依次堆叠的位线导电层以及位线绝缘层；去除支撑层，形成位于相邻位线层之间的开口。本发明实施例中提供的存储器制作方法，避免了在刻蚀形成位线结构出现的位线导电层形貌缺陷问题，同时也可避免位线导电层出现过刻蚀的情况，改善位线导电层的受损情况，从而提高位线导电层的导电能力，改善存储器的电学性能。