[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010894778.7 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112530933A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 冈野王俊 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/94 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种抑制半导体基板的面积增加的半导体装置。有关实施方式的半导体装置1具有半导体基板(10)、第一半导体层(12)、第一导电体(13)、第一电源线(PW)、第二电源线(GW)和电路(3)。半导体基板(10)具有第一面、与第一面对置的第二面、以及设置于第一面和第二面之间的第三面。第一半导体层(12)从第三面沿着第一面进行设置。第一导电体(13)设置于第一半导体层(12)上。第一电源线(PW)与第一导电体(13)电连接。第二电源线(GW)与半导体基板(10)电连接。电路(3)设置于半导体基板(10)，并与第一电源线(PW)及第二电源线(GW)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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