[发明专利]二类超晶格双色红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010871103.0 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN112002716B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 张轶;孙浩;李海燕;刘震宇;刘铭 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 罗丹 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种二类超晶格双色红外探测器及其制备方法,二类超晶格双色红外探测器,包括:读出电路;衬底,与读出电路相对且间隔排布;阵列设置于读出电路与衬底之间的多个台面像元结构,从读出电路至衬底的方向上,台面像元结构依次包括第一N型结构层、P型中间层、第二N型结构层,第二N型结构层与衬底连接;每个第一N型结构层均通过一个第一电极与读出电路电连接,每个第二N型结构层均通过一个第二电极与读出电路电连接;衬底远离台面像元结构的一侧设有网状电极,每个P型中间层均通过一个第三电极与网状电极电连接,网状电极通过一个第四电极与读出电路电连接。采用本发明,可以降低二类超晶格双色红外探测器芯片单面电极点的密度,降低互连封装难度。 | ||
搜索关键词: | 二类超 晶格 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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