[发明专利]二类超晶格双色红外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010871103.0 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN112002716B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 张轶;孙浩;李海燕;刘震宇;刘铭 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 罗丹
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种二类超晶格双色红外探测器及其制备方法,二类超晶格双色红外探测器,包括:读出电路;衬底,与读出电路相对且间隔排布;阵列设置于读出电路与衬底之间的多个台面像元结构,从读出电路至衬底的方向上,台面像元结构依次包括第一N型结构层、P型中间层、第二N型结构层,第二N型结构层与衬底连接;每个第一N型结构层均通过一个第一电极与读出电路电连接,每个第二N型结构层均通过一个第二电极与读出电路电连接;衬底远离台面像元结构的一侧设有网状电极,每个P型中间层均通过一个第三电极与网状电极电连接,网状电极通过一个第四电极与读出电路电连接。采用本发明,可以降低二类超晶格双色红外探测器芯片单面电极点的密度,降低互连封装难度。
搜索关键词: 二类超 晶格 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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