[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202010869996.5 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112447851A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈志彬;刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种集成芯片。所述集成芯片包括：源极区，设置在衬底内；以及漏极区，设置在衬底内。漏极区沿第一方向与源极区隔开。漂移区在源极区与漏极区之间设置在衬底内，且多个隔离结构设置在漂移区内。栅极电极设置在衬底内。栅极电极具有基础区及多个栅极延伸部，所述基础区设置在源极区与漂移区之间，所述多个栅极延伸部从基础区的侧壁向外延伸到所述多个隔离结构之上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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