[发明专利]一种功率模块封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010857075.7 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112201628A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 冯加云;方杰;徐凝华;曾雄;贺新强;张浩亮 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L29/739;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率模块封装结构及其制备方法，解决了在IGBT模块上进行铜线键合时工艺要求高、工艺实现困难的问题。通过在功率半导体芯片第一表面的第一电极上设置键合板，并在键合板表面连接第一键合线，第一键合线通过键合板将第一电极引出，第一键合线的另一端与衬板连接；在功率半导体芯片第一表面的第二电极上连接第二键合线将第二电极引出，第二键合线的另一端与衬板连接。上述方案有效地解决功率半导体芯片表面铜线的键合问题，提高了键合点的可靠性，减少了键合时对功率半导体芯片的损伤，增加了键合过程的稳定性，有效的解决了在功率半导体芯片表面键合铜线难以实现的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 模块 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010857075.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
