[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 202010841594.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420508A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 大堀高宽;三浦太树;小笠原正宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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