[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置

说明书

一种能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性的蚀刻方法。该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。

技术领域

本公开涉及一种蚀刻方法及基板处理装置。

背景技术

例如，专利文献1提出了一种蚀刻方法，在具有硅部分、氮化硅膜、以及氧化硅膜的被处理基板处，相对于氮化硅膜和氧化硅膜选择性地对硅部分进行蚀刻，其中，在将含氟气体和惰性气体激发的状态下将其供给至被处理基板，以对硅部分进行蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2018-32664号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种技术，其能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种蚀刻方法，包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序。

发明的效果

根据一个方面，能够提高硼膜或含硼膜的蚀刻的垂直性。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的基板处理装置的一个示例的剖面示意图。

图2是示出通过传统的蚀刻方法所进行的含硼膜的蚀刻的一个示例的图。

图3是示出通过根据一个实施方式的蚀刻方法所进行的含硼膜的蚀刻的一个示例的图。

图4是示出通过根据一个实施方式的蚀刻方法所进行的含硼膜的蚀刻的一个示例的图。

图5是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的一个示例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式中进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。

[基板处理装置]

使用图1对根据一个实施方式的基板处理装置1进行说明。图1是示出根据一个实施方式的基板处理装置1的一个示例的剖面示意图。

基板处理装置1包括腔室10。腔室10在其中提供内部空间10s。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形的形状。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面上设置有具有耐腐蚀性的膜。该膜可以为氧化铝、氧化钇等陶瓷。

在腔室主体12的侧壁上形成有通路12p。基板W通过通路12p在内部空间10s与腔室10的外部之间被搬送。通路12p由沿着腔室主体12的侧壁设置的闸阀12g打开和关闭。

在腔室主体12的底部上设置有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形的形状。支承部13在内部空间10s中从腔室主体12的底部向上方延伸。支承部13在上部具有载置台14。载置台14被构成为在内部空间10s中对基板W进行支承。

载置台14具有基台18和静电卡盘20。载置台14可以进一步具有电极板16。电极板16由铝等导体形成，并且具有大致圆盘形的形状。基台18设置在电极板16上。基台18由铝等导体形成，并且具有大致圆盘形的形状。基台18与电极板16电连接。