[发明专利]场效应管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010836655.8 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111952360B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;罗剑生 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘艳丽 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有场效应管及其制备方法。该场效应管包括外延层、栅介质层、栅极场板、源极和漏极，外延层包括衬底和在衬底上依次层叠设置的沟道层、势垒层和钝化层，栅介质层设置于钝化层上，源极和漏极设置于栅介质层的相对两侧；栅介质层中设有暴露出部分钝化层的窗口，窗口靠近漏极的侧壁设置为击穿电压增强结构，在击穿电压增强结构中，沿远离钝化层的方向，侧壁与漏极间的距离逐渐减小；栅极场板覆盖窗口的侧壁并与钝化层接触。场效应管能够有效改善栅极靠近漏极附近存在极高电场峰值的问题，提高场效应管器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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