[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010817678.4 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN113437140A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：半导体部的背面上的第1电极；表面侧的第2电极；和第1及第2控制电极，在第2电极与半导体部之间，配置于在半导体部设置的沟槽的内部。所述第1控制电极通过第1绝缘部与半导体部电绝缘。所述第2控制电极在沿着所述半导体部的所述表面的方向上与所述第1控制电极并排，并通过第2绝缘部与所述半导体部电绝缘。所述半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、所述第1导电型的第3层和所述第2导电型的第4层。所述第2层设置于所述第1层与所述第2电极之间。所述第3层及所述第4层选择性地设置于所述第2层与所述第2电极之间。所述第3层与所述第1层的间隔比所述第4层与所述第1层的间隔窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010817678.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
