[发明专利]一种GaN异质结场效应晶体管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010799672.9 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN112117325A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 施金汕;钱虓;林曦 | 申请（专利权）人： | 苏州伯嘉半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 孔凡玲 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江区太湖新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种GaN异质结场效应晶体管芯片，包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上主要由第一半导体层与第二半导体层组成的异质结构；位于异质结构上的源极及漏极；以及位于异质结构上源极与所述漏极之间的栅极；栅极位于第二半导体层上，栅极所在区域的第二半导体层厚度小于第二半导体层上其余任意区域的厚度。本发明还提供了一种该晶体管芯片的制造方法。其通过器件结构优化增加栅极对沟道的控制能力，降低漏端引入的势垒降低效应，从而增加器件电流增益同时提升相应器件运行速度，本发明效果显著且制作工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 异质结 场效应 晶体管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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