[发明专利]具有中红外宽带光吸收特性的超导纳米线单光子探测器有效
申请号: | 202010789414.2 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN112071938B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 赵雨辰;赵博洋;刘江凡;宋忠国;席晓莉 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L39/08;H01L39/12 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 王丹 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有中红外宽带光吸收特性的超导纳米线单光子探测器,其结构包括上半腔,纳米线层和下半腔共三个部分。上半腔为两层介质结构,分别为厚度为542nm硅层和厚度为624nm二氧化硅层。纳米线层为厚度为4nm、纳米线宽度为30nm的,材料为氮化铌,占空比为1/3,纳米线之间填充材料为二氧化硅,下半腔为光学谐振腔结构,由一层厚度为593nm的二氧化硅层和厚度为120nm的金反射镜组成。仿真结果显示,本发明的超导纳米线单光子探测器在3‑5μm的中红外大气窗波长范围内具有双峰耦合谐振特性,当入射光电场平行于纳米线时,在2956nm‑4828nm波长范围内均能够实现至少60%的光吸收率。 | ||
搜索关键词: | 具有 红外 宽带 光吸收 特性 导纳 米线 光子 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的