[发明专利]氮化物半导体发光元件在审
| 申请号： | 202010783479.6 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349820A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够提高发光输出的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件具备：活性层，其包含势垒层；p型接触层，其位于活性层的上侧；以及电子阻挡层叠体，其位于活性层和p型接触层之间，电子阻挡层叠体具备：第1电子阻挡层，其位于活性层侧，具有比势垒层的Al组分比大的Al组分比；以及第2电子阻挡层，其位于p型接触层侧，具有比势垒层的Al组分比小的Al组分比。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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