[发明专利]电容器的制作方法及电容器阵列结构、半导体存储器有效
| 申请号： | 202010778901.9 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114068421B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 占康澍;夏军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容器的制作方法及电容器阵列结构、半导体存储器，其中，电容器的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成待刻蚀基底；待刻蚀基底包括牺牲层和支撑层；牺牲层和支撑层交替设置，且待刻蚀基底远离衬底的一侧为第一支撑层；晶圆包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域；在待刻蚀基底上形成在中心区域具有第一图案的第一硬掩膜层；第一图案包括阵列排布的通孔；以第一硬掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀基底，形成电容孔；边缘区域则未形成电容孔；在电容孔的底部和侧壁上沉积下电极层，并逐层去除待刻蚀基底；依次在下电极层上形成电容介质层和上电极层。本发明提供的方案，可解决电容器刻蚀过程中，晶圆边缘容易出现塌陷和剥落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制作方法 阵列 结构 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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