[发明专利]一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法在审
申请号: | 202010772615.1 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN114068669A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 徐守一;赖银坤;蔡铭进 | 申请(专利权)人: | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 王春霞 |
地址: | 361006 福建省厦门市湖里区火*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: |
本发明提出一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法,其中,具有分裂栅结构的超级结MOS,包括cell区域,所述cell区域上设有Split Gate结构和Super Junction结构。本发明提供的分裂栅结构的超级结MOS,通过Split Gate和Super Junction相结合的结构设计,能够使得整个超级结MOS同时具备Split Gate和Super Junction的优点,可以有效降低MOS的Qg和R |
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搜索关键词: | 一种 具有 分裂 结构 超级 mos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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