[发明专利]一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法

权利要求书

1.一种具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：包括cell区域，所述cell区域上设有Split Gate结构和Super Junction结构。

2.根据权利要求1所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：所述Split Gate结构和Super Junction结构间隔设置。

3.根据权利要求1或2所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：包括衬底层(10)；所述衬底层(10)一侧设有外延层(120)；所述外延层(120)上的cell区域一侧蚀刻有第一沟槽(11)和第二沟槽(12)；所述第一沟槽(11)和第二沟槽(12)内均设有离子杂质层(20)；

所述第二沟槽(12)的槽深度大于其内的所述离子杂质层(20)的高度，以在所述第二沟槽(12)内形成第三沟槽(13)；

所述第一沟槽(11)槽口设有第一栅氧化层(41)，形成所述Super Junction结构；

所述第三沟槽(13)内壁设有第二栅氧化层(42)；所述第二栅氧化层(42)上设有多晶硅层(50)，形成所述Split Gate结构。

4.根据权利要求3所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：所述外延层(120)的厚度为40-60μm。

5.根据权利要求4所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：所述离子杂质层(20)中的杂质为P+型杂质。

6.根据权利要求3所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：所述第一栅氧化层(41)和第二栅氧化层(42)的厚度均为800A-1500A。

7.根据权利要求3所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：设有所述第一沟槽(11)和第二沟槽(12)的外延层(120)还设有若干PW沟道区(60)；部分所述PW沟道区(60)设于所述第一沟槽(11)和第二沟槽(12)周围；所述PW沟道区(60)内设有N+源极区(70)；所述PW沟道区(60)上依次设有层间介质(80)、金属源极(90)和钝化层(100)；

所述衬底层(10)另一侧设有漏极层(110)。

8.根据权利要求6所述的具有分裂栅结构的超级结MOS，其特征在于：所述层间介质(80)的厚度为1.0-2.0μm。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的具有分裂栅结构的超级结MOS的制备方法，其特征在于，包括：

S10、在衬底层一侧蚀刻形成第一沟槽和第二沟槽；并在所述第一沟槽和第二沟槽内沉积离子杂质，形成离子杂质层；

S20、将所述离子杂质层研磨至衬底层表面；然后进行表面场氧化，形成场氧化层；并对所述第二沟槽进行内的离子杂质层进行蚀刻形成第三沟槽；

S30、在第一沟槽、第三沟槽和外延层表面进行进行栅氧化层的生长；在所述第三沟槽内沉积多晶硅，并利用栅极光刻蚀刻形成栅极；

S40、全面注入第一离子形成PW沟道区；在所述PW沟道区内光刻注入第二离子形成N+源极区；然后再在表面生长层间介质，进行光蚀刻、第三离子注入和退火形成接触区域，再依次沉淀金属、钝化材料光蚀刻后形成金属源极和钝化层，完成衬底层正面制作；

S50、完成衬底层正面制作后，将所述衬底层另一侧依次进行研磨、抛光、清洗、蒸发、合金形成漏极层，完成具有分裂栅结构的超级结MOS的制备。

10.根据权利要求9所述的具有分裂栅结构的超级结MOS的制备方法，其特征在于：所述第一离子为B11/60KeV/6E13 CM^-3；所述第二离子为As/60Kev/E15 CM^-3；所述第三离子为B11/BF2。