[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202010772320.4 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112331762A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 姜慧如;林仲德;马礼修 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及集成电路。集成电路具有设置在衬底上方的介电结构内的磁隧道结(MTJ)器件。MTJ器件具有设置在第一电极和第二电极之间的MTJ。第一单极选择器设置在介电结构内并且耦合到第一电极。第一单极选择器配置为允许电流沿第一方向流过MTJ器件。第二单极选择器设置在介电结构内并且耦合到第一电极。第二单极选择器配置为允许电流沿与第一方向相反的第二方向流过MTJ器件。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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