[发明专利]半导体制造方法在审
| 申请号： | 202010761484.7 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018029A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李南照;王桂磊;孔真真;白国斌;刘金彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体制造方法，包括如下步骤：在半导体基板上形成金属层；刻蚀所述金属层配线结构的侧壁周围的第一电介质，在所述配线结构的侧壁周围形成隔离槽；在所述隔离槽中沉积第二电介质，使填充的第二电介质覆盖所述金属层；平坦化所述第二电介质，使金属层上部露出；在所述金属层和第二电介质上沉积防蚀层。通过刻蚀金属层配线结构的侧壁周围的第一电介质，形成隔离槽，再在所述隔离槽中沉积第二电介质，使填充的电介质覆盖所述金属层，能够将因为等离子处理工艺导致的介电常数变化最小化，从而改善半导体元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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