[发明专利]一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法有效
| 申请号： | 202010752951.X | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111933708B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴燕庆;詹丹;李学飞 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS‑HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS‑HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS‑HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 mis hemt 钝化 设计 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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