[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法

摘要

一种垂直存储器装置包括：沟道，其在衬底上在垂直方向上延伸；电荷存储结构，其在沟道的外侧壁上并且包括在水平方向上顺序地堆叠的隧道绝缘图案、电荷俘获图案和第一阻挡图案；以及在垂直方向上彼此间隔开的栅电极，每一个栅电极围绕电荷存储结构。电荷存储结构包括电荷俘获图案，每一个电荷俘获图案在水平方向上面向栅电极之一。每一个电荷俘获图案的面向隧道绝缘图案的内侧壁在垂直方向上的长度小于其面向第一阻挡图案的外侧壁在垂直方向上的长度。