[发明专利]一种用于碳化硅晶体生长的模块化坩埚装置及其生长方法在审
| 申请号： | 202010743008.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111850693A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种用于碳化硅晶体生长的模块化坩埚装置及其生长方法，它属于碳化硅晶体生长装置领域。本发明要解决的技术问题为如何提供稳定的长晶热场。本发明装置包括坩埚底，所述的坩埚底连接坩埚体，所述的坩埚体的上端设置有坩埚支架，坩埚支架的上层放置有籽晶，坩埚支架的下层放置有碳化硅多晶块，坩埚体内底部放置有碳化硅粉料，坩埚盖与所述的坩埚体盖合。本发明装置的模块化、能够根据实际需要适当组合，能够保获得更为精确的坩埚，实现随着单晶生长，实现反应室内气体导流，坩埚中碳化硅多晶块可调整，可反复使用，实现坩埚热场的环境稳定。本发明用于碳化硅晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 晶体生长 模块化 坩埚 装置 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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