[发明专利]碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件在审
| 申请号： | 202010712289.5 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112002751A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 戴小平;高秀秀;谢思亮;汤晓燕;齐放;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种碳化硅VDMOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅VDMOSFET器件，所述元胞结构包括位于所述漂移层表面内且设置于元胞结构两侧的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；其中，在所述源区远离所述元胞结构中心的一侧，所述漂移层于其表面向下设置有侧部沟槽；设置于所述阱区内，且位于所述侧部沟槽的底部和侧壁并与所述源区邻接的第二导电类型欧姆接触区；设置于所述源区上方和所述侧部沟槽内的源极金属层；其中，所述源极金属层同时与所述源区和所述欧姆接触区形成欧姆接触。本公开中通过先形成沟槽再倾斜离子注入的方式在阱区内形成与源区邻接的沟槽状的欧姆接触区，提高了器件的UIS耐性，使器件具有更高的动态雪崩可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 vdmosfet 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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