[发明专利]一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法在审

专利信息
申请号: 202010686180.9 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111939933A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 徐振和;高雨;徐宝彤;丁茯;孙亚光;金灿灿;王麟;王琳娜;贾砚迪;黄碧君 申请(专利权)人: 沈阳化工大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;B01J37/10
代理公司: 沈阳技联专利代理有限公司 21205 代理人: 张志刚
地址: 110142 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法,涉及一种光催化剂制备方法,本发明为一种新型用于增强可见光光催化活性的Ag:ZnIn2S4/CdS/RGO三元阶梯型异质结的制备方法和条件,涉及光催化功能材料及其制备领域,将两个光敏硫化物半导体在水热条件下与RGO耦合形成稳定的三元异质结,并获得目标光催化剂。这种合理设计的三元异质结光催化剂提高了可见光吸收率,产生了较大的表面积,暴露出足够的催化活性位点。同时,异质结构界面处的内置电势梯度可以促进电子‑空穴对的分离,并降低其复合的机会。最终提高材料光催化产氢效率。
搜索关键词: 一种 三元 阶梯 型异质结 半导体 光催化剂 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳化工大学,未经沈阳化工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010686180.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top