[发明专利]CIS器件的制作方法

摘要

本申请公开了一种CIS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该CIS器件的制作方法包括在具有第一导电类型的衬底上定义像素区，所述像素区包括用于形成CIS器件的MOS管区域和光电二极管区域；在所述光电二极管区域形成具有第二导电类型的阱区，第一导电类型与第二导电类型相反；在所述衬底表面形成富硅氧化层，所述富硅氧化层为具有不同折射率的双层结构，上层富硅氧化层的折射率小于下层富硅氧化层的折射率，所述上层富硅氧化层的厚度大于所述下层富硅氧化层的厚度；解决目前CIS器件容易产生ghost现象的问题，达到了改善CIS器件的白像素缺陷和ghost缺陷的效果。