[发明专利]全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010660606.3 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN113990974A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 周勇;王灿;姚小康;何萌;葛琛;郭尔佳;金奎娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种全铁电半导体PN结薄膜器件，其自下而上依次包括：衬底、底电极、N型铁电层、P型铁电层和顶电极，或者衬底、底电极、P型铁电层、N型铁电层和顶电极；其中，所述N型铁电层由N型铁电材料形成，所述P型铁电层由P型铁电材料形成。本发明还提供一种制备本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件的方法。本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件可用于解决现有铁电存储器中数据存在破坏性读取的问题，同时实现了更加优异的电和光对铁电极化状态的非破坏性读取。 | ||
| 搜索关键词： | 全铁电 半导体 pn 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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