[发明专利]桥式GaN器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010659813.7 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111540674B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;郁发新;陈华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种桥式GaN器件及其制备方法，制备包括：提供具有缓冲结构和外延结构的半导体基底，在外延结构上形成钝化层，制备源极电极和漏极电极，制备栅极沟槽，形成桥式栅极结构。本发明通过堆叠多个二维电子气通道来增加晶体管的功率密度；通过桥式栅极结构的设计，基于埋入外延结构中的栅极，通过经由横向栅极电场调制二维电子气的宽度来控制漏极电流，减轻了源自电子速度调制的跨导的滚降，降低了跨导的峰值，实现了跨导变化的平坦化，提高了器件的线性度；本发明基于悬空桥式栅极结构的设计，消除了表面的高电场区域，解决了由此造成的电流衰减、崩塌效应，接触顶栅的缺乏还消除了栅漏极端的垂直电场，大大抑制了反压电效应并提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 桥式 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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