[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202010650925.6 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN112289745A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 高桥宏行;和田健太郎;渡边义雄;横尾晋 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，抑制晶片的外周的粘接带或环状框架被干蚀刻加工。晶片的加工方法具有如下的步骤：框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的静电卡盘工作台隔着粘接带而对框架单元的晶片进行吸引保持；遮蔽步骤，利用罩部件将环状框架和粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及干蚀刻步骤，在实施了框架单元保持步骤和遮蔽步骤之后，向蚀刻腔室提供气体而对晶片进行干蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
