[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202010650925.6 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN112289745A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 高桥宏行;和田健太郎;渡边义雄;横尾晋 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；
框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的卡盘工作台隔着该粘接带而对该框架单元的晶片进行吸引保持；
遮蔽步骤，利用罩部件将该环状框架和/或在该环状框架与该晶片之间露出的该粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及
干蚀刻步骤，在实施了该框架单元保持步骤和该遮蔽步骤之后，向该蚀刻腔室提供气体而对该晶片进行干蚀刻。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该环状框架由树脂形成，在该遮蔽步骤中，该环状框架被该罩部件覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
在该干蚀刻步骤中，实施向该晶片提供等离子状态的气体的等离子蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
