[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，抑制晶片的外周的粘接带或环状框架被干蚀刻加工。晶片的加工方法具有如下的步骤：框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的静电卡盘工作台隔着粘接带而对框架单元的晶片进行吸引保持；遮蔽步骤，利用罩部件将环状框架和粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及干蚀刻步骤，在实施了框架单元保持步骤和遮蔽步骤之后，向蚀刻腔室提供气体而对晶片进行干蚀刻。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术

已知有对在以硅为代表的半导体基板上形成有器件的器件晶片进行干蚀刻的技术(例如参照专利文献1)。作为干蚀刻的方式，例如有基于等离子状态的气体的蚀刻。也出于形成将晶片沿着分割预定线(间隔道)分割的分割槽、或将在激光加工中产生的碎屑或热影响层(损坏层)去除而提高抗弯强度的目的而使用该技术。在这样的加工的情况下，担心在加工中或搬送中使晶片破损，因此晶片以借助划片带等粘接带而固定于环状框架的开口的框架单元的方式进行加工。

专利文献1：日本特开2018-156973号公报

但是，当在框架单元的方式下将等离子状态的气体提供至晶片时，担心晶片的外周的粘接带或环状框架也被等离子蚀刻加工。例如在环状框架为树脂制的情况下，担心由于等离子蚀刻而发生变色或扬尘。在粘接带的情况下，特别是在粘接层中氟(F)容易作为残渣而残留，在等离子蚀刻加工后，当在大气中或密闭容器中放置时，担心由大气中的氢(H)和氟(F)构成氟化氢(HF)而腐蚀器件的电极。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，抑制晶片的外周的粘接带或环状框架被干蚀刻加工。

为了解决上述课题实现目的，本发明的晶片的加工方法具有如下的步骤：框架单元准备步骤，利用粘接带将晶片固定于环状框架的开口，准备框架单元；框架单元保持步骤，利用蚀刻腔室内的卡盘工作台隔着该粘接带而对该框架单元的晶片进行吸引保持；遮蔽步骤，利用罩部件将该环状框架和/或在该环状框架与该晶片之间露出的该粘接带的环状区域覆盖，相对于外部空间进行遮蔽；以及干蚀刻步骤，在实施了该框架单元保持步骤和该遮蔽步骤之后，向该蚀刻腔室提供气体而对该晶片进行干蚀刻。

在上述的晶片的加工方法中，也可以是，该环状框架由树脂形成，在该遮蔽步骤中，该环状框架被该罩部件覆盖。

在上述的晶片的加工方法中，也可以是，在该干蚀刻步骤中，实施向该晶片提供等离子状态的气体的等离子蚀刻。

本申请发明起到如下的效果：抑制晶片的外周的粘接带及环状框架被干蚀刻加工。

附图说明

图1是示出实施方式的框架单元的一例的立体图。

图2是示出实施方式的晶片的加工方法的流程的流程图。

图3是示出实施方式的晶片的加工方法的在晶片上包覆掩模层的掩模层包覆步骤的状态的侧视图。

图4是示出实施方式的晶片的加工方法的在晶片上的掩模层上形成加工槽的分割预定线加工步骤的状态的侧视图。

图5是示出实施方式的晶片的加工方法的对晶片实施等离子蚀刻的等离子蚀刻步骤中所使用的等离子蚀刻装置的剖视图。

图6是图5所示的蚀刻腔室内的静电卡盘工作台和罩部件的立体图。

图7是将框架单元搬入至图6所示的静电卡盘工作台上且位于罩部件内的状态的剖视图。

图8是示出实施方式的晶片的加工方法的框架单元保持步骤和遮蔽步骤的静电卡盘工作台和罩部件的剖视图。

图9是示出实施方式的晶片的加工方法的干蚀刻步骤的静电卡盘工作台和罩部件的剖视图。