[发明专利]一种增强密集图形光刻分辨率的方法有效
| 申请号： | 202010638023.0 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111856888B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 许箭;秦龙;耿文练;花雷 | 申请（专利权）人： | 儒芯微电子材料（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海剑秋知识产权代理有限公司 31382 | 代理人： | 杨飞 |
| 地址： | 201206 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强密集图形光刻分辨率的方法，包括执行胶图案化工艺，从而形成第一掩模图案；执行胶层处理工艺；再次执行胶图案化工艺，从而形成第二掩模图案，第二掩模图案中的图形与第一掩模图案中的图形间隔设置；其中，胶图案化工艺包括：在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；通过光刻曝光工艺在第一胶层上形成曝光区和非曝光区；采用第一溶剂去除曝光区和第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除曝光区，再采用第三溶剂去除第二胶层的部分区域，从而在第一胶层形成第一图案，在第二胶层形成第二图案，第二图案是在第一图案基础上缩进后的图案；采用第四溶剂去除非曝光区；胶层处理工艺用于使第一胶层耐第一溶剂或第三溶剂溶解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 密集 图形 光刻 分辨率 方法 | ||
【主权项】：
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