[发明专利]三维存储器及三维存储器制作方法有效
| 申请号： | 202010631304.3 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111755454B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;刘磊;张坤;周文犀;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 430078 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。本发明旨在解决相关技术中公共源极与各导电层之间容易发生漏电的问题。本发明的三维存储器中，在堆叠结构和基底之间设置连接层和导通层，连接层与导通层接合，半导体结构依次通过连接层和导通层与外部设备连接，栅极缝内填充有绝缘体；与在栅极缝内设置用于连接半导体结构的公共源极相比，无需设置公共源极，避免导电层与公共源极之间发生漏电，提高了三维存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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