[发明专利]功率半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202010626538.9 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113707706A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;王波 | 申请（专利权）人： | 华大半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体装置及其制备方法，装置包括：第一导电类型的基底；第二导电类型的阱区，设置于基底的第一主面；沟槽栅结构，设置于基底的第一主面，贯穿阱区至基底中；第一导电类型的源极，设置于阱区内，且位于沟槽栅结构的侧面；第二导电类型的集电极，设置于基底的第二主面；第一导电类型的场截止层，设置于基底的第二主面，且位于集电极与基底之间；低寿命区，设置于基底的第二主面，且位于场截止层中靠近集电极的位置，低寿命区包含缺陷以降低少数载流子的寿命。本发明可有效降低器件的拖尾电流，进而降低器件的关断损耗，同时能提高器件的开关频率，减小交叉导通的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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