[发明专利]用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202010625725.5 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112447526A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈焕能;廖文翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法。一种制造所述半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上方沉积第一电介质层；将波导附接到所述第一电介质层；沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，其中所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触。所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高速 数据传输 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
