[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲层；对牺牲层进行局部掺杂，形成在第一方向交替的掺杂区和和非掺杂区，掺杂区和非掺杂区沿着与第一方向垂直的第二方向延伸；在牺牲层上形成堆叠层和垂直穿过堆叠层和牺牲层的沟道结构，其中沟道结构具有存储器层和被存储器层围绕的导电部，导电部到达牺牲层；形成垂直穿过堆叠层而到达牺牲层的栅线隙；选择性去除掺杂区或非掺杂区，在堆叠层与牺牲层之间形成间隙，去除存储器层在间隙中的部分的至少一部分侧壁，露出导电部的至少一部分侧壁；以及在间隙中填充导电层，导电层接触导电部。