[发明专利]高雪崩耐量的VDMOS器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010605524.9 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111697078A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李吕强;蓝瑶瑶;郭乔;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种提高雪崩耐量的VDMOS及制备方法，在本发明的器件中引入了第二多晶硅栅电极替换掉了传统VDMOS结构源区下方部分的体区，并且对JEFT区域进行了与漂移区相同杂质类型的中等掺杂，在器件正向导通时，第一多晶硅栅电极与第二多晶硅栅电极能够在源区侧部的体区中形成双反型层沟道，并且在JEFT区域形成多数载流子的积累层，改善了VDMOS的正向导通特性；在器件处于雪崩击穿状态时，源区下方不再存在寄生的三极管，并且击穿位置会固定到源区侧方的欧姆接触区与漂移区的交界面，雪崩电流只能通过欧姆接触区流出源极，提高了VDMOS的雪崩耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 vdmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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