[发明专利]一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：S2：调整生长温度到临界生长温度，准备生长AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN(xy)量子阱结构；S3：保持步骤S2中所述临界生长温度不变，通入Ga源、Al源、氨气和硅烷，生长AlyGa1‑yN垒层；S4：在步骤S3的所述AlyGa1‑yN垒层上，生长AlxGa1‑xN阱层；所述临界生长温度通过以下方法确定：提高生长温度，直至量子阱的界面由清晰开始退化时，此时的生长温度为温度临界点；将所述临界生长温度设置为低于所述温度临界点0～15℃。本发明提供的方法解决了深紫外LED中量子阱有源区发光效率低的问题，实现了高内量子效率的深紫外有源区。