[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010595375.2 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113851427A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 冒义祥;张兰;严晓芬;周俊芳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底以及形成于半导体衬底上的有源区，有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于沟道区两侧的源区和漏区；层间介质层，形成于有源区上；顶层金属层，位于层间介质层上并通过接触孔与有源区电连接；钝化层，位于顶层金属上，钝化层包括富氧硅层和叠设于富氧硅层上的富硅氮化硅层，其中，富氧硅层的厚度范围为 |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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